9月15日，工业和信息化部、国家发展改革委联合印发《电子信息制造业发展“十五五”规划》（以下简称《规划》），为未来五年电子信息制造业发展划定路线图。《规划》明确提出“推动宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”，金刚石被正式列入第四代半导体产业化发展的国家议程。
值得注意的是，《规划》对半导体材料按禁带宽度作了清晰分层。在第三代半导体（宽禁带）层面，《规划》以“推动宽禁带半导体产业提质升级”统称，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）即属此类，重在“做强”；在第四代半导体（超宽禁带）层面，则明确点名“推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”，重在“做新”。宽禁带“提质升级”与超宽禁带“产业化发展”的梯队推进格局已然清晰。
金刚石之所以被单独点名、定位为超宽禁带半导体的产业化对象，源于其远超现有材料的物理极限。金刚石禁带宽度达5.5 eV，击穿场强高达10⁷ V/cm，热导率达到2000 W/mK，是已知半导体材料中最高的，热导率约为铜的5倍。这些特性使金刚石在功率器件、射频器件等高压高频场景中具备天然优势，也使其成为解决AI算力芯片散热瓶颈的关键材料。材料、能源、信息构成相互支撑的铁三角，金刚石等先进材料对整个信息产业、对AI技术提升具有革命性意义。
在产业化落地层面，金刚石正从实验室加速走向规模化生产。国内大尺寸金刚石热沉片生产线陆续投产，多晶金刚石柔性薄膜及热沉片的关键指标达到行业先进水平，我国大尺寸金刚石散热材料正逐步告别小批量试制阶段。与此同时，金刚石与碳化硅复合材料等方向取得进展，缓解了半导体产业长期面临的热膨胀失配难题；在晶圆级散热方向，金刚石薄膜制备技术也实现关键突破，推动金刚石在半导体散热领域的产业化应用进一步提速。
下游需求的快速增长正在牵引产能加速释放。市场机构预计，全球高端AI芯片用金刚石散热片市场未来数年将保持高速增长，年复合增长率超过50%。在此背景下，产业链企业加快布局金刚石单晶、多晶及金属复合材料等产品矩阵，CVD金刚石产品陆续进入头部客户验证阶段，MPCVD设备规模和热沉片产能规划持续扩大，金刚石散热材料的产业化进程明显加快。
从“工业牙齿”到AI算力革命的“散热钥匙”，再到被《规划》列为第四代半导体产业化发展的核心材料，金刚石的产业角色正在发生根本性转变。《规划》的明确点名，意味着金刚石不再仅停留在材料替代层面，而是被赋予了支撑集成电路全链条攻关、保障算力基础设施自主可控的战略使命。随着8英寸热沉片量产线投产、12英寸晶圆级薄膜技术突破以及AI芯片散热需求的持续攀升，金刚石半导体的产业化窗口已经打开
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