近日，天岳先进在2026年半年度业绩说明会上释放重要技术进展，公司董事长、总经理宗艳民公开透露，核心研发项目“金刚石单晶制备与衬底表面精细加工”已正式进入样品阶段。这一进展标志着公司布局两年多的金刚石技术，正式从实验室研发迈向实物验证阶段。
据半年报公开资料显示，该金刚石研发项目总投资700万元，2026年上半年新增投入75.14万元，截至报告期末累计投入674.42万元，整体仍处于样品阶段。项目层面，开展单晶金刚石生长和衬底加工研究，采用MPCVD方法生长金刚石单晶，以激光切割和分步加工方法实现衬底加工，满足散热材料和金刚石器件开发的应用需求，精准对标高功率半导体产业的核心需求。
事实上，天岳先进在金刚石领域的技术积累已持续两年有余，形成了完整的技术储备体系。2025年4月，旗下全资子公司上海天岳半导体集中公开5项金刚石相关专利，覆盖复合衬底、多晶衬底制备等核心技术；2026年3月，公司明确将金刚石技术列为关键突破领域；同年5月，公司再获核心专利，有效解决晶体生长边缘效应问题，大幅降低缺陷密度与内部应力，技术指标达到行业先进水平。
据了解，在碳化硅之外，公司目前采取多种材料并行研究的战略。据半年报显示，天岳先进目前在研项目共8个，总投资为3.69亿，2026年上半年新增投入7708万元，累计投资1.87亿，其中金刚石单晶制备与衬底表面精细加工今年上半年投入占比约9.7%。
所以，虽然金刚石业务仍是天岳先进碳化硅主业的延伸布局，短期难以贡献实质业绩。但样品阶段的突破，为后续客户验证、良率优化、成本管控奠定了基础。中长期来看，随着高功率半导体散热需求持续攀升，公司金刚石衬底技术的落地，将助力其完善高端半导体材料布局，巩固在功率半导体赛道的差异化竞争优势。
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